ALD Depunere în straturi atomice (ALD)
Depunerea în straturi atomice este un proces de depunere în peliculă subțire bazat pe reacții de suprafață secvențiale și autolimitate. Expunerile separate ale precursorilor și reactanților, cu etape de purjare între ele, construiesc pelicule prin cicluri repetate.
Peliculele subțiri ALD sunt utilizate în aplicații semiconductoare, cum ar fi dielectrici cu k ridicat, pasivizarea suprafețelor și barierele de difuzie. Acoperirea ALD poate oferi, de asemenea, straturi de barieră protectoare pentru anumite componente ale echipamentelor. Materialul peliculei, geometria și condițiile de funcționare determină procesul adecvat.
DLC-uri Carbon asemănător diamantului (DLC)
Acoperirile DLC oferă suprafețe cu frecare redusă și rezistență la uzură pentru componentele echipamentelor semiconductoare de precizie. Aplicațiile includ arbori, pini, manșoane și piese glisante.
Alegerea stratului de acoperire ia în considerare condițiile de contact, materialul substratului, finisajul suprafeței, toleranțele dimensionale și temperatura de funcționare. Componentele expuse la substanțe chimice de proces sau la plasmă necesită o evaluare suplimentară a compatibilității.
este C Carbon amorf tetraedric (ta-C)
ta-C este un strat de acoperire dur din carbon utilizat pentru componente care necesită rezistență ridicată la uzură și proprietăți de suprafață controlate. Poate susține aplicații de contact de precizie solicitante, unde suportul substratului și aderența stratului de acoperire sunt adecvate.
Grosimea stratului de acoperire, tensiunea reziduală, finisajul suprafeței și geometria componentei trebuie luate în considerare la selectarea unei soluții ta-C.